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半导体材料 — 光刻胶
产品名称
电子束光刻胶、宽带厚胶、紫外光刻薄胶、纳米压印胶、聚酰亚胺光刻胶
数据参数
类型
光刻胶型号
适用光谱
厚度范围/um
分辨率
适用工艺
紫外光刻胶-薄胶
S1800系列
g-Line, broad line
0.5-3.5
0.5um
正性光刻胶,稳定性好;适用于分辨率要求较高的光刻工艺
AZ5214
g/h/i-Line
1-2um
0.5um
反转胶
BCI-3511
i-Line
0.5-2
0.5um
正性i线光刻胶,适用于各类接触式光刻机(maskaligner),stepper
SPR955
i-Line
0.5-3.5
0.35um
正性i线光刻胶,适用于分辨率要求较高的湿法腐蚀和干法刻蚀
AZ 1500
g/h/i-Line
0.5-5
1um
正性光刻胶,广泛应用于半导体制造
宽带厚胶
SU-8 10系列
g/h/
i
-Line
0.1-200
0.5um
负性环氧类化学放大光刻胶,具有高深宽比,光刻后可以达到非常好的陡直度
.
导电SU-8(GCM3060)
1-50
负性环氧类光刻胶;可导电、粘合性较好,图层应力降低
SPR220
g/h/i-Line
1—30
1um
正性光刻胶,用于
MEMS
和
Bump
工艺
NR26-25000P
g/h/i-Line
20-130
负性光刻胶,适用于各类接触式光刻机(
mask aligner)、
stepper、scanner
AZ P4620
g/h/i-Line
6—20
1um
正性光刻胶
电子束光刻胶
HSQXR-1541-006
EB
85nm~180nm
6nm
极佳分辨率负胶,抗刻蚀
Z520
0.05-1
10-50nm
高分辨率电子束正胶
,
抗刻蚀
PMMA
电子束正胶
EBL 6000
系列
0.1-0.5
50nm
负性
电子束光刻胶
ma-N2400
系列
0.1-1.5
30nm
负性电子束光刻胶
纳米压印胶
mr-NIL 6000E
热固化和
UV
固化
0.1-1
50nm
可用于纳米图形的制造、刻蚀、多层系统等
mr-I 9000M
热固化
0.1-1
50nm
mr-UVCur21
UV
固化
0.1-5
50nm
光固化胶
Ormo
系列
g/h/i-Line
0.1-300
50nm
适用于制造光栅、微型镜片、光耦合器和连接器等